我們的靜電放電 (ESD)、瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 和齊納二極管產(chǎn)品系列包含多種封裝和電壓選項(xiàng)。

優(yōu)勢(shì)：

• <0.5pF ESD 二極管能夠保護(hù)速度高達(dá) 30GHz 的數(shù)據(jù)線路，從而確保正常運(yùn)行期間的信號(hào)完整性。
• 平緩鉗位 TVS 技術(shù)提供了一種用于耗散浪涌瞬變的可靠解決方案，具有精確、平穩(wěn)、不受溫度影響的鉗位電壓，可更大限度地減小施加到受保護(hù)系統(tǒng)的殘余電壓。
• 該產(chǎn)品系列中的汽車級(jí)器件可滿足對(duì)需要高達(dá) 30kV 保護(hù)電壓的系統(tǒng)的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

我們的薄膜硅鉻電阻器網(wǎng)絡(luò)采用交錯(cuò)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)較高的元件間匹配，并具有抗老化和溫度應(yīng)力的能力。

優(yōu)勢(shì)：

• 薄膜 SiCr 以小巧的外形實(shí)現(xiàn)高度交錯(cuò)，同時(shí)提供比厚膜解決方案更低的閃爍噪聲。
• 片上交錯(cuò)可以有效地使多個(gè)電阻器占據(jù)晶圓上的同一位置，從而確保晶圓上薄膜電阻材料的任何變化都會(huì)對(duì)所有電阻器產(chǎn)生同等影響。
• 匹配的電阻器可實(shí)現(xiàn)極低的比例溫度系數(shù)，典型漂移為 0.2ppm/°C 或更低。

與集成放大器相比，分立式結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 可以實(shí)現(xiàn)低得多的噪聲和相對(duì)較低的功耗，因此非常適合電感式傳感器，這些傳感器可能需要具有低電壓和低電流噪聲的放大器。

優(yōu)勢(shì)：

• 具有與雙極結(jié)型晶體管類似的極低水平寬帶電壓噪聲，但具有極低電流噪聲的額外優(yōu)勢(shì)。
• 單通道靈活性和雙通道匹配選項(xiàng)。
• 一對(duì)以單片方式裝配在同一芯片上的 JFET 的匹配效果比單個(gè)晶體管要好得多，從而可以防止高增益電路中引入直流失調(diào)電壓。

線性硅基熱敏電阻可在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高靈敏度，從而提高性能和可靠性。

優(yōu)勢(shì)：

• 無(wú)需線性化電路或基于硬件的電阻器-電容器濾波器。
• 與負(fù)溫度系數(shù) (NTC) 熱敏電阻相比，可執(zhí)行更快、更準(zhǔn)確的軟件轉(zhuǎn)換，同時(shí)降低存儲(chǔ)器要求。
• 無(wú)需多點(diǎn)校準(zhǔn)，即可實(shí)現(xiàn)比 NTC 熱敏電阻高多達(dá) 50% 的精度。
• 由于熱質(zhì)量較低，在較高溫度下可實(shí)現(xiàn)幾乎 300% 的響應(yīng)速度和更高的靈敏度。
• 產(chǎn)品系列包括 TI 功能安全型器件和時(shí)基故障率/故障模式分布文檔。
• 低自發(fā)熱可更大限度地減少長(zhǎng)期傳感器溫漂。

體聲波 (BAW) 諧振器在現(xiàn)有石英和微電子機(jī)械諧振器技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了許多改進(jìn)。我們的產(chǎn)品系列包括具有 1MHz 至 400MHz 頻率、業(yè)界通用封裝、低功耗和寬電源電壓范圍的振蕩器。

優(yōu)勢(shì)：

• 基于 BAW 的晶體振蕩器提供出色的可靠性（針對(duì)振動(dòng)和沖擊、故障間隔平均時(shí)間 (MTBF)、溫度穩(wěn)定性、老化和環(huán)境因素等）。
• 實(shí)現(xiàn)了小于 100fs 的均方根抖動(dòng)。
• 使用 BAW 振蕩器替代石英振蕩器無(wú)需任何設(shè)計(jì)或印刷電路板布局布線更改。